力晶明年第一季度量产4GbNandFlash

　　台系半导体厂商力晶为日本瑞萨科技（Renesas）代工的Nand Flash最近良品率显著提升。据业界推测，力晶计划提前于明年第一季量产4Gb Nand Flash，但力晶对于量产4Gb Nand Flash计划，并不明确表态。力晶在台湾省内的DRAM厂中，对Nand Flash布局最为积极主动，只是之前合作伙伴瑞萨尚未退出该业务范围，因此技术支持方面并不彻底，良品率一直无法有效提升。据力晶之前对外公布的数据，每月Nand Flash只投产5,000片，规模不大。

　　不过，瑞萨日前宣布将淡出Nand Flash市场，力晶进一步取得瑞萨技术，良品率一路攀升，试产中的4Gb生产线的良率也向达到80%，让力晶对量产4Gb Nand Flash更具信心，计划明年第一季末量产。

　　也因为良率的突破，力晶规划提拨更多12吋产能生产Nand Flash，以应付现阶段DRAM迈入淡季影响。力晶董事长黄崇仁曾表示，由于瑞萨逐步把4Gb闪存生产作业移转力晶，因此力晶将加速推动12吋晶圆厂的扩建计划。不过，力晶12吋新晶圆厂仍在规划中，新厂的产能最快要一年以后才会开出，为求能在最快时间取得产能，业界曾传出力晶将购买旺宏三厂（12吋规格厂房)，力晶与旺宏在12月26日否认有厂房交易。

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