日本著名内存厂商Elpida公司在新产品的研发方面一直走在业界的前面,该公司23号宣布完成512Mbit DDR3 SDRAM的开发,这种新一代高速内存可适用于高端个人电脑及服务器产品。

Elpida此次开发完成的512Mbit DDR3 SDRAM采用90nm制程,传输速率可达1.067Gbps / 1.333Gbps,比现有的512Mbit DDR2颗粒(533Mbps / 667Mbps)快2倍,而且它的工作电压还降低至1.5V(现有DDR2工作电压为1.8V),由于采用低漏电流低电压高速电路设计,让DDR3能以更低的工作电压实现两倍于DDR2的速度,而DDR2内存若要达到1000Mbps以上的传输速度,其工作电压需要提升至2.2 V。
这款512Mbit DDR3 SDRAM的实物预计可在年内上市;此外Elpida称日前正在研发1Gbit与2Gbit容量的DDR3 SDRAM。
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